第 2 站：光刻与蚀刻
拿到镜面晶圆之后，问题变成：怎么把电路图案「画」上去？答案是一套组合拳——光刻（lithography）负责印图案，蚀刻（etching）负责刻出来。这一对工序在芯片制造中要重复几十次，因为芯片是层层堆出来的。
光刻：像冲洗照片一样印电路
光刻的原理和传统胶片摄影惊人地相似：
- 涂胶：在晶圆表面旋涂一层光刻胶（photoresist）——一种见光会改变化学性质的高分子材料。
- 曝光：紫外线透过掩膜（photomask）照射晶圆。掩膜是一块石英玻璃板，上面有放大的电路图案，透光与遮光区域构成「底片」。光透过的地方，光刻胶发生化学反应。
- 显影：用显影液洗掉变性（或未变性，取决于胶的类型）的光刻胶，晶圆表面就留下与电路图案一致的光刻胶「模板」。
精度的关键在于光源波长。波长越短，能印出的线条越细。行业沿这条路走了几十年：365 nm（汞 I 线）→ 248 nm（氟化氪激光）→ 193 nm（氟化氩激光，DUV 深紫外）→ 13.5 nm（EUV，极紫外）。EUV 光刻机是当前最先进的设备，商用机型目前由荷兰 ASML 独家供应，一台售价数亿美元——因为 13.5 nm 的光会被玻璃和空气吸收，必须用真空环境里的反射镜系统（而不是透镜）精确投射，整台机器有一辆公交车那么大。
蚀刻：把图案刻进材料
光刻胶模板出来后，蚀刻工序把它转移到晶圆表面的真实材料上：
- 干法蚀刻（主流）：用等离子体轰击晶圆表面。反应离子蚀刻（RIE，Reactive Ion Etching）中，化学活性离子既发生化学反应又进行物理轰击，可以做到各向异性——只往下刻，不往侧边啃，刻出的沟槽壁陡直。这是刻出精细结构的关键。
- 湿法蚀刻：用化学溶液腐蚀，便宜快，但各向同性（四面八方都啃），只适合精度要求低的场合。
每完成一轮「光刻 + 蚀刻」，就把图案刻进了当前这层材料。然后进入下一站：沉积新材料、掺杂、连线——如此循环，芯片就是这样一层一层「堆」出来的。
一句话总结
光刻 = 涂胶 → 曝光 → 显影，把电路图案变成光刻胶模板；蚀刻 = 按模板把图案刻进真实材料。波长越短线条越细，EUV（13.5 nm）是当前的精度天花板。
来源
- 光刻波长演进（365/248/193/13.5 nm）与 EUV 用反射镜：已核实（维基百科「Extreme ultraviolet lithography」条目）
- 商用 EUV 光刻机由 ASML 独家供应（2025 年中国已研制原型机）：已核实（同上条目）